應(yīng)用于半導(dǎo)體和微電子制程工藝的GORE^?臭氧化模組

業(yè)界傳統(tǒng)上使用化學(xué)混合物進(jìn)行硅片清洗和半導(dǎo)體清洗。然而，臭氧水處理方案更環(huán)保，可以減少廢物處理，降低成本，正越來越多地獲得采納。

制造商希望在室溫下使用清洗液，安全節(jié)能地去除有機(jī)物和進(jìn)行表面處理。他們還希望減少使用非環(huán)保且廢物處理成本高的傳統(tǒng)化學(xué)品。以SPM（硫酸混合物）工藝為例，這種工藝使用雙氧水和熱硫酸的混合物，但硫酸是一種腐蝕性和有害的化學(xué)品，會增加廢物處理成本。

制造商還需要更潔凈，且臭氧溶解濃度高于目前水平的臭氧水，以幫助提高產(chǎn)量。潔凈的臭氧水可確保去除硅晶圓和平板顯示器上的有機(jī)污物。

自20世紀(jì)80年代以來，GORE臭氧化模組已成功應(yīng)用于臭氧水晶圓清洗工具，用于清洗硅晶圓和半導(dǎo)體。該臭氧化模組使用去離子臭氧水，比常用的刺激性化學(xué)品和需經(jīng)過多個半導(dǎo)體清洗工藝步驟的方法更安全、更有效。

例如，濕法清洗和光刻膠去除方法在制備硅晶圓過程中使用化學(xué)品進(jìn)行清洗，隨后采用硫酸混合濕法清洗工藝，然而這個流程同樣使用化學(xué)品去除殘留的有機(jī)污物。

久經(jīng)驗(yàn)證，生成的臭氧水具有持續(xù)穩(wěn)定的濃度和流速

戈?duì)柕哪＝M可以生成目前市場上更潔凈、無氣泡的臭氧化超純水，比機(jī)械混合技術(shù)（如噴射器或靜態(tài)混合器）生成的臭氧水更潔凈。

這些模組還可以實(shí)現(xiàn)更高的溶解臭氧濃度，高達(dá)200 mg/L。它們持續(xù)穩(wěn)定地將臭氧氣體溶解到超高純水中，生成更潔凈、無氣泡的臭氧水。我們的臭氧模組具有微孔結(jié)構(gòu)的含氟聚合物膜，能承受超過0.40 MPa的高進(jìn)水壓(WEP)。

經(jīng)長期應(yīng)用驗(yàn)證，戈?duì)柍粞趸＝M生成的臭氧水具有持續(xù)穩(wěn)定的濃度和流量，是清洗硅晶圓和平板顯示器臭氧水系統(tǒng)的理想解決方案。

將GORE臭氧化模組與機(jī)械混合技術(shù)進(jìn)行比較，可以更好地了解我們產(chǎn)品的優(yōu)勢。如需了解關(guān)于我們模組特性和性能的更多信息，請即聯(lián)系我們。

GORE臭氧化模組是具成本效益的解決方案，適用于微電子行業(yè)中先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝中的臭氧水制備和臭氧清洗工藝，如：

• 硅晶圓清洗和生產(chǎn)
• 邏輯芯片和存儲芯片制造
• LED/OLED/QOLED (LTPS)平板顯示器清洗和制造
• 光掩膜

如果您有任何疑問或具體應(yīng)用需求，請即聯(lián)系我們。

GORE臭氧化模組具有多種特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，可幫助半導(dǎo)體臭氧水清洗設(shè)備制造商提高臭氧水的制備性能，如：

• 無氣泡的超高純度臭氧水，最高濃度可達(dá)200mg /L
• 由于獨(dú)特的含氟聚合物結(jié)構(gòu)，生成更高潔凈度的臭氧水
• 采用ePTFE膜管，實(shí)現(xiàn)無顆粒污染
• 采用微孔膜技術(shù)，允許高進(jìn)水壓> 0.40 MPa
• 經(jīng)過長期應(yīng)用驗(yàn)證，確保性能連續(xù)性和一致性
• 臭氧水的濃度和流量易于控制

如需了解有關(guān)戈?duì)柍粞趸＝M的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)的更多信息，請即聯(lián)系我們。

這些數(shù)值說明了GORE臭氧化模組應(yīng)用在半導(dǎo)體和微電子制造工藝的特性。

戈?duì)柕哪＝M采用獨(dú)特的微孔膜技術(shù)，能夠生成比業(yè)內(nèi)純度更高且無氣泡的臭氧水。產(chǎn)品性能久經(jīng)驗(yàn)證，是改進(jìn)半導(dǎo)體晶圓和平板顯示器制造清洗工藝，更環(huán)保的可靠解決方案。如需訂購和了解戈?duì)柍粞趸＝M的詳細(xì)技術(shù)信息，請即聯(lián)系我們。